[S9] S9.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングV

[S9.3] フェノール樹脂を炭素源に用いた緻密SiCの作製

*川西 咲子¹、三谷 武志²、CHAUSSENDE Didier³、吉川 健⁴、柴田 浩幸⁵ (1. 東北大多元研（現：京大）、2. 産総研、3. CNRS-SIMaP、4. 東大生研（現：阪大）、5. 東北大多元研)

キーワード：SiC、反応性含浸、フェノール樹脂、造粒

本研究ではSiC溶液法に用いるSiCライナーの開発に向け、フェノール樹脂を用いたSiC作製法を検討した。造粒により得た二次粒子を利用することで、SiC面積率が90%を超えるSiC多結晶体を作製することができた。