12:00 〜 13:30 [P17] 低エネルギーの電子ビーム照射によるアモルファスHfO2薄膜の結晶化 *星島 颯太1、仲村 龍介2 (1. 滋賀県立大工(院生)、2. 滋賀県立大工) キーワード:アモルファス、酸化ハフニウム(HfO2)、電子ビーム照射、結晶化、透過型電子顕微鏡 透過電子顕微鏡を用いて,低エネルギーの電子ビーム照射によるアモルファスHfO2の結晶化を試みた.電子エネルギー40 keVにおいて,電子フラックスが(1.0-2.5) × 1023 m-2 s-1の範囲で結晶化した.