日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

講演情報

ポスターセッション

2.物性 » 物性

[P] P75~P79

2024年9月18日(水) 12:00 〜 13:30 ポスターセッション会場2 (サイエンスコモンズ・スタジオA)

12:00 〜 13:30

[P78] AuSb合金を用いたMIC法によるGe薄膜の結晶化

*梨木 祐真1、スントンパン ナリン1、弓野 健太郎1,2 (1. 芝浦工業大学、2. 芝浦工業大学半導体人材育成センター)

キーワード:半導体、低温結晶化、薄膜トランジスタ、MIC法、金属誘起結晶化

MIC法は前駆体アモルファス半導体に金属を導入し低温で結晶化する方法である。本研究はMIC法を利用しAuおよびAuSbを金属触媒とした際のGe結晶の結晶性と電気特性の違いを明らかにすることを目的とする。

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