12:00 〜 13:30 [P79] Agを触媒としてMIC法で作製したGe薄膜の結晶化と特性評価 *長 洸太1、浅野 友太1、弓野 健太郎1,2 (1. 芝浦工大(院生)、2. 芝浦工業大学半導体人材育成センター) キーワード:半導体、低温結晶、薄膜トランジスタ、MIC法、金属誘起結晶化法 薄膜トランジスタ(TFT)のチャンネル層にGeが注目され、低温結晶化によりフレキシブルデバイスへの応用が期待される。逆積層のMIC法を用い、AgとGeの膜厚の影響を調査した。