日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

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ポスターセッション

9.Electric/Electronic/Optical Materials » Electric/Electronic/Optical Materials

[P] P175~P182

Wed. Sep 18, 2024 2:00 PM - 3:30 PM Poster Session Room2 (Studio A at Science Commons)

2:00 PM - 3:30 PM

[P181] Raman spectral change by indentation into Si1-xGex crystals with high Ge concentration

*Yuma SATO1, Yoshifumi IKOMA2, Masamichi KOHNO2, Yukiko OZAKI3, Yasutomo ARAI4 (1. Kyushu Univ., 2. Kyushu Univ., 3. Osaka Univ., 4. JAXA)

Keywords:SiGe、高圧相変態、ラマンスペクトル、準安定相、ビッカースインデンテーション

SiやGe結晶へのインデンテーションを行うと、bc8やst12構造の準安定相が形成される。しかし、SiGe結晶の場合での準安定相の詳細は不明である。本研究ではラマンスペクトル変化からSiGe結晶の準安定相を調査した。