日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

講演情報

ポスターセッション

2.物性 » 物性

[P] P290~292

2024年9月18日(水) 16:00 〜 17:30 ポスターセッション会場2 (サイエンスコモンズ・スタジオA)

16:00 〜 17:30

[P292] V-Te薄膜の相変化挙動

*折原 周平1、双 逸2、安藤 大輔1、須藤 祐司1,2 (1. 東北大工、2. 東北大AIMR)

キーワード:薄膜、多形相変化材料、相変化メモリ、V-Te二元系合金

次世代PCRAMのメモリ材料として、結晶相間の多形変化を示すMnTeが期待されている。本研究では、MnTeと同様の遷移金属カルコゲナイドであるV-Te二元系薄膜に注目し、相変化挙動と電気光学特性変化について調査した。

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