16:00 〜 17:30 [P217] ワイドギャップ酸化物への高密度キャリアドーピングの第一原理計算による検討 *石井 裕貴1、長藤 瑛哉1、高橋 亮2、大場 史康2 (1. 東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所 (院生)、2. 東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所) キーワード：透明導電体、第一原理計算、ドーピング、点欠陥 In2O3:Snをはじめとする透明導電性を示す5つの系とそれらの母結晶にFをドープした系について，フェルミ準位およびキャリア電子密度の上限を第一原理計算により調査した．
