[P] P239~P252

[P245] Temperature Dependence of Critical Resolved Shear Stress and Dislocation Motion in Phosphorus-Doped Si Single Crystals

*Toma Sugizono¹, Tatsuya Morikawa², Shigeto Yamasaki², Masaki Tanaka², Jun Fujise³, Toshiaki Ono³ (1. Kyushu　University, 2. Kyushu　University, 3. SUMCO Corporation)

Keywords:P-Si、臨界分解剪断応力、降伏応力、転位運動、活性化エネルギー

Pを添加したSi単結晶について降伏応力の温度依存性を調べ、P濃度による差を考察した。また、塑性変形の活性化エネルギーを調べることでSiの塑性変形メカニズムについて考察した。