16:30 〜 16:45
[424] 炭素間隙に含浸した溶融Si中のSiC生成挙動
キーワード:SiC、SiC繊維強化SiCセラミックス、溶融Si含浸法、高温その場観察、SiC生成反応
溶融Si含浸法において、炭素間隙に含浸した溶融Siと炭素の反応によるSiCの生成挙動を調査した。高温その場観察により、生成したSiCの厚みおよび炭素上への被覆率の計測が可能となり、SiC生成メカニズムを評価した。
一般講演
6.材料プロセシング » 溶融・凝固プロセス 高温プロセス
2024年9月20日(金) 12:30 〜 17:15 Q会場 (全学教育推進機構講義B棟3階B307)
座長:安田 秀幸(京都大学)、宮原 広郁(九州大学)、奥川 将行(国立大学法人 大阪大学)、鳴海 大翔(京都大学)
16:30 〜 16:45
キーワード:SiC、SiC繊維強化SiCセラミックス、溶融Si含浸法、高温その場観察、SiC生成反応