[P] P100~P104

[P102] AuSb，Au触媒を用いたアニールによるGe薄膜の結晶化及びその電気特性

*楊 淳祥¹、弓野 健太郎^1,2 (1. 芝浦工業大学、2. 芝浦工業大学グリーンエレクトロ二クス国際研究センター)

キーワード：p型半導体特性、昇温時間、AuSb、半導体薄膜、結晶化

AuSbを触媒としてGe薄膜の結晶化を試みた、3nmのAuSb膜厚,190℃の低温でGe薄膜の結晶化に成功した。