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一般セッション(口頭講演)

08．プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマ成膜･表面処理

[18a-C1-1~5] 8.3 プラズマ成膜･表面処理

2013年9月18日(水) 09:00 〜 10:15 C1 (TC3 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-C1-1] グラフェンへのHfO₂のプラズマ支援原子層堆積

^○北嶋武，中野俊樹 (防大電)

09:15 〜 09:30

[18a-C1-2] 大気圧プラズマ重合による有機薄膜の作製評価

^○野村亮太，中村竜介，六車仁志 (芝浦工大院)

09:30 〜 09:45

△ [18a-C1-3] ラジカル注入型プラズマ励起化学気相堆積法で成長したアモルファスカーボン膜の結晶構造及びラジカル密度に対するガス流量効果

^○徐達，賈凌雲，中村将之，近藤博基，石川健治，関根誠，堀勝 (名大)

09:45 〜 10:00

△ [18a-C1-4] ラジカル注入型プラズマ励起化学気相堆積法で成長したアモルファスカーボン膜の結晶構造及び電気特性に対するボロン注入効果 Effect of boron doping on crystalline structures and electrical properties of amorphous carbon films grown by radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition

^○賈凌雲，九鬼淳，于楽泳，近藤博基，石川健治，関根誠，堀勝 (名大)

10:00 〜 10:15

△ [18a-C1-5] プラズマ励起化学気相堆積法で成長したアモルファスカーボン膜の膜構造に対する基板バイアス印加効果

^○中村将之，賈凌雲，徐達，近藤博基，石川健治，関根誠，堀勝 (名大)