一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-D3-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年9月18日(水) 09:30 〜 12:30 D3 (MK 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[18a-D3-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）遷移金属ナノ構造の酸化還元を利用した抵抗変化デバイス

^○藤原宏平 (阪大産研)

09:45 〜 10:00

[18a-D3-2] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）走査型透過電子顕微鏡によるSrRuO₃薄膜中の八面体構造の歪み解析

^○麻生亮太郎¹，菅大介¹，島川祐一^1,2，倉田博基^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

10:00 〜 10:15

△ [18a-D3-3] 原子間力顕微鏡カンチレバーを用いた高ドリフト耐性を有する微細抵抗変化メモリ(ReRAM)の抵抗スイッチング特性

^○高相圭¹，澤居優圭¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

10:15 〜 10:30

[18a-D3-4] Pt/TiO₂Pt構造におけるUnipolar型抵抗変化モデル

^○近藤祐介，大村泰久 (関西大院)

10:30 〜 10:45

△ [18a-D3-5] NiO薄膜の膜質がPt/NiO/Pt抵抗変化素子のフォーミング電圧に及ぼす影響

^○（DC）岩田達哉，西佑介，木本恒暢 (京大院工)

10:45 〜 11:00

△ [18a-D3-6] p-CuOx/SiOx/n-SiC/n-Si ダイオード構造抵抗変化型メモリ

^○山下敦史，塚本貴広，須田良幸 (東京農工大院工)

休憩　 (11:00 〜 11:15)

11:15 〜 11:30

△ [18a-D3-7] 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memoryにおける微視的抵抗スイッチング機構の解明

^○由良翔¹，山崎隆浩³，中田謙吾¹，石井晃¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC　²，物質材料研究機構³)

11:30 〜 11:45

△ [18a-D3-8] HfO₂-CB-RAMのフィラメント形成における水の役割II

^○長谷川祥¹，吉原正人¹，片田直伸¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大¹，TEDREC²)

11:45 〜 12:00

△ [18a-D3-9] フィラメント動作型抵抗変化メモリにおけるフィラメント物性の抽出

^○森山拓洋¹，小石遼介¹，木村康平¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

12:00 〜 12:15

[18a-D3-10] ナノスケールプレーナー型抵抗変化メモリを用いた雰囲気がフィラメント物性に及ぼす直接的影響の解明

^○澤居優圭¹，高相圭¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

12:15 〜 12:30

[18a-D3-11] Pr_1-xCa_xMnO₃薄膜の光学特性と抵抗スイッチング特性との相関

^○山田昌樹¹，酒井道¹，中村敏浩² (京都大工¹，大阪電気通信大工²)