一般セッション(口頭講演)

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[18p-D6-1~17] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2013年9月18日(水) 13:30 〜 18:00 D6 (MK 3F-301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食　 (12:00 〜 13:30)

13:30 〜 13:45

[18p-D6-1] バイオテンプレート極限加工GaAs量子ナノディスクにおける光励起キャリアダイナミクス

^○木場隆之^1,4，須崎健太¹，田村洋典^2,4，肥後昭男³，寒川誠二^2,3,4，村山明宏^1,4 (北大院情報科学¹，東北大流体研²，東北大WPI-AIMR³，JST-CREST⁴)

13:45 〜 14:00

[18p-D6-2] バイオテンプレート極限加工GaAs量子ナノディスクにおける光学利得

^○須崎健太¹，木場隆之^1,5，Kwangseuk Kyhm²，田村洋典^3,5，肥後昭男⁴，寒川誠二^3,4,5，村山明宏^1,5 (北大院情報科学¹，韓国釜山大²，東北大流体研³，東北大WPI-AIMR⁴，JST-CREST⁵)

14:00 〜 14:15

[18p-D6-3] バイオテンプレート極限加工GaAs量子ナノディスクの反射ポンププローブ分光

^○田中亨¹，佐々木義¹，木場隆之^1,5，Kwangseuk Kyhm²，田村洋典³，肥後昭男⁴，寒川誠二^3,4,5，村山明宏^1,5 (北大院情報科学¹，韓国釜山大²，東北大流体研³，東北大 WPI-AIMR⁴，JST-CREST⁵)

14:15 〜 14:30

[18p-D6-4] 量子ドット中の励起子・励起子分子光非線形におけるFano共鳴効果

^○後藤秀樹，眞田治樹，山口浩司，寒川哲臣 (NTT物性研)

14:30 〜 14:45

▲ [18p-D6-5] InAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの微細構造分裂の測定

^○Edmund Harbord¹，舘林潤¹，石田悟己^1,2，西岡政雄^1,2，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

14:45 〜 15:00

[18p-D6-6] 立方晶GaN量子ドットを用いた単一光子発生

^○加古敏¹，Sylvain Sergent²，Mark Holmes²，Matthias Buerger³，Donat As³，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，Ｐａｄｅｒｂｏｒｎ大³)

15:00 〜 15:15

[18p-D6-7] 共鳴励起準位の選択による量子ドット単一光子発生器の純度改善

^○宮澤俊之¹，竹本一矢²，佐久間芳樹³，宋海智³，高津求³，山本剛之¹，荒川泰彦^{2, 4} (富士通研¹，東大ナノ量子機構²，物質材料研究機構³，東大生研⁴)

15:15 〜 15:30

▲ [18p-D6-8] Two-Dimensional Finite Element Modeling for Stress Analysis of Emission Energy Control of Quantum Dots using Phase Change Material

^○ビンティフマムヌルーシャファワティ，佐藤悠，津守伸宏，斎木敏治 (慶大院理工)

15:30 〜 15:45

[18p-D6-9] InAs/AlGaAs量子ロッド構造の電流電圧特性

^○（M1）小嶋友也，大森雅登，Pavel Vitushinskiy，榊裕之 (豊田工業大)

休憩　 (15:45 〜 16:00)

16:00 〜 16:15

[18p-D6-10] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）通信波長帯ピコ秒単一光子量子ビットの量子ドット集合体への転写・再生

^○鈴木一将¹，赤羽浩一²，小西広一郎¹，早瀬潤子¹ (慶大理工¹，情通機構²)

16:15 〜 16:30

[18p-D6-11] 酸化エルビウムエピタキシャル薄膜のスカンジウム混晶化による光学特性の改善

^○俵毅彦^1,2，尾身博雄^1,2，穂積貴人³，鍜治怜奈³，足立智³，後藤秀樹¹，寒川哲臣¹ (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²，北大院工³)

16:30 〜 16:45

[18p-D6-12] ダブル誘導ラマン断熱通過による酸化エルビウム薄膜での量子ビット任意回転操作

^○川上欣洋¹，穂積貴人¹，鍜治怜奈¹，足立智¹，俵毅彦^2,3，尾身博雄^2,3 (北大院工¹，NTT物性基礎研²，NTTナノフォトニクスセンタ³)

16:45 〜 17:00

[18p-D6-13] (113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生

^○大柄根斉宣¹，加藤翔¹，中川義典^1,2，森田健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

17:00 〜 17:15

[18p-D6-14] InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器のウエハ直接接合による作製と光学特性評価

^○原山千穂¹，加藤翔¹，中河義典^1,2，森田健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

17:15 〜 17:30

[18p-D6-15] CdSe/ZnS量子ドットの時間分解発光測定

^○北村繁宏，千秋政也，今井啓太，温映輝，勝山俊夫 (福井大・院工)

17:30 〜 17:45

[18p-D6-16] TiO₂基板上の単一CdSe/ZnS量子ドットの発光特性解析

^○長尾優樹，藤原英樹，笹木敬司 (北大電子研)

17:45 〜 18:00

[18p-D6-17] 超伝導電極をつけたInAs/InP コア/シェルナノワイヤにおける電子伝導

^○布施智子¹，林尚生^1,2，Russell Deacon¹，Guoqiang Zhang³，舘野功太³，石橋幸治¹ (理化学研究所¹，東京理科大²，NTT基礎研究所³)

セッション情報

[18p-D6-1~17] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

▲ [18p-D6-5] InAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの微細構造分裂の測定

▲ [18p-D6-8] Two-Dimensional Finite Element Modeling for Stress Analysis of Emission Energy Control of Quantum Dots using Phase Change Material