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08．プラズマエレクトロニクス » プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

一般セッション(口頭講演)

[17p-C11-5~6] プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

2013年9月17日(火) 16:00 〜 17:00 C11 (TC3 2F-210)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 16:30

[17p-C11-5] 「プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演」（30分）高エネルギー水素イオン入射によるSi表面の増殖酸化

伊藤智子¹，溝谷浩平¹，礒部倫郎¹，唐橋一浩¹，深沢正永²，長畑和典²，辰巳哲也²，^○浜口智志¹ (阪大¹，ソニー²)

16:30 〜 17:00

[17p-C11-6] 「プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演」（30分）プラズマ－表面相互作用の実時間その場電子スピン共鳴分光研究

^○石川健治¹，鷲見直也¹，河野昭彦²，堀邊英夫²，竹田圭吾¹，近藤博基¹，関根誠¹，堀勝¹ (名大工¹，金沢工大²)