[16a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-B5-5] In-situ RF-MBEによるAlN/GaNヘテロ構造上へのAlO_x薄膜成長

^○杉浦洋平^1,2，本田徹¹，東脇正高² (工学院大工¹，情通機構²)

キーワード：MBE,窒化物半導体,酸化物半導体