[16p-A8-1~14] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

[16p-A8-12] ウェハ接合法により作製したSi基板上InAs/GaAs量子ドットレーザの高温動作（100 ^oC）

^○田辺克明¹，ティモシー レイ²，渡邉克之¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子¹，東大生研²)

キーワード：量子ドットレーザ,シリコン,ウェハ接合