[16p-B2-1~14] 15.8 結晶評価.ナノ不純物・結晶欠陥

[16p-B2-1] 成長界面上の空孔の発生と結晶内部における格子間シリコンの発生 [1] 融液輻射による加熱

^○阿部孝夫¹，高橋徹¹，白井光雲² (信越半導体¹，阪大²)

キーワード：silicon,点欠陥