[17a-B4-1~12] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-B4-8] UHVスパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長

^○三好佑弥，濱田夕慎，高橋昌幸，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

キーワード：GaドープZnO