[17p-B3-1~17] 15.6 IV族系化合物

△ [17p-B3-15] 4H-SiC微傾斜エピタキシャル成長における基底面転位の貫通刃状転位への変換

^○升本恵子^1,2，伊藤佐千子^1,2，後藤日出人²，田村謙太郎^1,3，工藤千秋^1,4，西尾譲司^1,5，児島一聡^1,2，大野俊之^1,6，奥村元^1,2 (FUPET¹，産総研²，ローム³，パナソニック⁴，東芝⁵，日立⁶)

キーワード：SiC,エピタキシャル,微傾斜