[17p-P8-1~7] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

[17p-P8-2] 固相成長法によるCap-Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と界面準位及び移動度の評価

^○小幡智幸¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，星裕介²，澤野憲太郎²，白木靖寛² (山梨大クリスタル研¹，東京都市大総研²)

キーワード：界面準位密度