[18a-B1-1~11] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

△ [18a-B1-9] グラフェン抵抗変化型メモリのSET/RESET条件に関する研究

^○（M2）新留彩^1,2，高橋綱己²，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大院理工電子物理¹，慶大理工電子工²，東工大量子ナノ研セ³)

キーワード：グラフェン,抵抗変化型メモリ