[18a-B4-1~10] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

[18a-B4-10] 選択的イオン注入法による高Ge組成一軸歪みSiGeの形成

^○米倉瑛介¹，荘司雄太郎¹，中川清和²，白木靖寛¹，澤野憲太郎¹ (東京都市大¹，山梨大²)

キーワード：半導体