2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 半導体表面

[18p-C1-1~13] 13.2 半導体表面

2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:30 C1 (TC3 1F-101)

13:45 〜 14:00

[18p-C1-4] Si(111)表面へのNiイオン照射過程のリアルタイムSTM観察

武良光太郎1,神岡武文2,木谷哲1,今津研太1,渡邉孝信1 (早大理工1,豊田工大2)

キーワード:scanning tunneling microscope,nickel silicide