[19a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-B5-8] III族原料間欠導入による１～２分子層InN単一量子井戸のMOVPE選択成長

^○赤坂哲也，Andrew Berry，Chiahung Lin，山本秀樹 (NTT物性基礎研)

キーワード：InN,Step-free,quantum well