[19a-P3-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-P3-26] ポーラスアルミナにエッチング処理を用いた抵抗変化メモリ電流電圧特性

^○谷本優輔¹，渡辺忠孝¹，高野良紀¹，高瀬浩一¹，浜田佳典²，大塚慎太郎²，清水智弘²，新宮原正三² (日大理工¹，関大システム理工²)

キーワード：抵抗変化型メモリ,陽極酸化ポーラスアルミナ