2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.1 基礎物性・評価

[19a-P4-1~2] 13.1 基礎物性・評価

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P4 (デイヴィス記念館 )

09:30 〜 11:30

▲ [19a-P4-2] Study of carrier density depth profiling in highly-doped Ge using HREELS

○Sungjin Park1，Noriyuki Uchida1，Yoshihiko Moriyama2，Tsutomu Tezuka2，Tetsuya Tada1 (産総研　ナノエレ部門1，産総研　GNC2)

キーワード：HREELS,carrier density,Germanium