[19a-P7-1~14] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19a-P7-9] ECRスパッタ法Al₂O₃およびSiN保護膜を有するAlGaN/GaN HEMTの電位評価

^○水江千帆子，市川弘之，井上和孝 (住友電工　伝送デバイス研)

キーワード：GaN HEMT,ECRスパッタ,Al2O3