[19p-B4-1~21] 13.5 Siプロセス技術

△ [19p-B4-5] 2ステップRTA(高温短時間アニール)によるリンドープSi薄膜の低抵抗化

^○（M1）若杉智英¹，知念怜¹，岡田竜弥¹，青笹浩¹，野口隆¹，伊藤丈二² (琉球大工¹，イトウコンサル²)

キーワード：2-step RTA,TFT,Low Resistance poly-Si film