[19p-D3-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[19p-D3-6] 歪み印加GaNAsを用いた超高Q機械振動子におけるアニール効果

^○小野満恒二¹，満原学²，Yoshiharu Krockenberger¹，山本秀樹¹，山口浩司¹ (NTT BRL¹，NTT Photonics Labs.²)

キーワード：MBE,GaNAs,MEMS