[20a-B4-1~11] 13.5 Siプロセス技術

[20a-B4-1] F₂+HeガスドライエッチングによるSiトレンチ側壁上のスキャロップ低減化処理

^○三笠亮¹，新海聡子²，野田有輝³，本山慎一³ (九工大院情¹，九工大マイクロ化²，サムコ³)

キーワード：F2,ICP-RIE,scallop