[20a-C13-1~12] 9.4 熱電変換

△ [20a-C13-12] Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果

^○（D）山阪司祐人¹，中村芳明^1,2，上田智広¹，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

キーワード：nanodots,epitaxial,silicon, germanium