[20a-C9-1~12] 13.1 基礎物性・評価

[20a-C9-1] 2MeV電子線を照射したひずみSi/ひずみ緩和Si_0.7Ge_0.3/Si基板構造のラマン分光法によるひずみ量評価

^○（B）村上英司郎¹，中島敏之^2,3，米岡将士¹，角田功¹，高倉健一郎¹，中庸行⁴，末益崇⁵ (熊本高等専門学校¹，宮崎大²，中央電子工業³，堀場製作所⁴，筑波大⁵)

キーワード：ひずみSi