[27a-G20-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27a-G20-5] △MOCVD法によるGeSn膜の堆積 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○須田耕平¹，宇納知寛¹，宮川達也¹，町田英明²，石川真人²，須藤弘²，大下祥雄³，小椋厚志¹ (明治大¹，気相成長²，豊田工大³)

キーワード：GeSn、MOCVD