セッション情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27a-G20-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2013年3月27日(水) 09:30 〜 12:00 G20 (B5号館 4F-2404)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[27a-G20-1] カーボン・サーファクタントを用いたSi基板上の緩和Ge薄膜成長の検討 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○（B）伊藤友樹¹，畠山真慈¹，松尾拓哉²，鷲尾勝由^1,2 (東北大工¹，東北大院工²)

[27a-G20-2] カーボン・サブ単原子バッファ層を用いたSi基板上のGeドットの形成に関する検討 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○畠山真慈¹，伊藤友樹¹，松尾拓哉²，鷲尾勝由² (東北大工¹，東北大院工²)

[27a-G20-3] Ge_1-xSn_xヘテロエピタキシャル成長に与える基板面方位効果 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○黒澤昌志^1,2，木戸脇翔平¹，浅野孝典¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²)

[27a-G20-4] Ge_1-xSn_xヘテロエピタキシャル成長に与えるSn導入効果 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○木戸脇翔平¹，浅野孝典¹，黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²)

[27a-G20-4.1] 休憩(15分)

[27a-G20-5] △MOCVD法によるGeSn膜の堆積 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○須田耕平¹，宇納知寛¹，宮川達也¹，町田英明²，石川真人²，須藤弘²，大下祥雄³，小椋厚志¹ (明治大¹，気相成長²，豊田工大³)

[27a-G20-6] △Ge_1-xSn_x/Ge微細構造による局所歪構造の形成と評価 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○池進一¹，守山佳彦²，黒澤昌志^1,3，田岡紀之¹，中塚理¹，今井康彦⁴，木村滋⁴，手塚勉²，財満鎭明¹ (名大院工¹，産総研GNC²，学振特別研究員(PD)³，JASRI⁴)

[27a-G20-7] △圧縮歪Ge_1-xSn_xエピタキシャル層の電気伝導特性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○浅野孝典¹，黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，坂下満男¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員 (PD)²)

[27a-G20-8] △Ge_1-x-ySi_xSn_y エピタキシャル層/n-Ge(001)ヘテロ接合の電気的特性 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○朝羽俊介¹，山羽隆¹，黒澤昌志^1,2，坂下満男¹，田岡紀行¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²)

[27a-G20-9] △横方向液相成長により作製したGOIバックゲートトランジスタのキャリア移動度評価 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○西川弘晃，鈴木雄一郎，松江将博，細井卓治，志村孝功，渡部平司 (阪大院工)