[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-17] InAlNスペーサを用いたAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的特性評価 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○森健太郎，渡邉新，伊藤達也，江川孝志 (名工大院)

キーワード：InAlNスペーサ