[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28p-G9-13] 9nm極薄埋込み酸化膜(ETBOX)SOI基板を用いたVth可変FinFETの作製 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○遠藤和彦，右田真司，石川由紀，柳永勛，松川貴，大内真一，塚田順一，水林亘，森田行則，太田裕之，山内洋美，昌原明植 (産総研ナノエレ部門)

キーワード：SOI、FinFET、極薄酸化膜