[29a-B4-1~11] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

[29a-B4-2] LPE成長低補償比GaAsを用いた遠赤外検出器の試作及び評価 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○西本智一¹，横山義人²，村上浩³，阿部治¹，若木守明² (日本分光¹，東海大工²，ISAS/JAXA³)

キーワード：遠赤外、検出器、GaAs