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一般セッション(口頭講演)

05．光エレクトロニクス » 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

[29a-B4-1~11] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

2013年3月29日(金) 10:00 〜 13:00 B4 (K2号館 3F-1308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29a-B4-1] ▲Silica High-Mesa Waveguide for Infrared Sensing (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○Jiao Chen，外薗裕仁，中島大介，浜本貴一 (九大)

[29a-B4-2] LPE成長低補償比GaAsを用いた遠赤外検出器の試作及び評価 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○西本智一¹，横山義人²，村上浩³，阿部治¹，若木守明² (日本分光¹，東海大工²，ISAS/JAXA³)

[29a-B4-3] InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○三浦広平^1,2，猪口康博¹，河村裕一²，室岡純平³，片山晴善³，菅野翔太⁴，竹川智子⁴，木股雅章⁴ (住友電工¹，大阪府大²，ＪＡＸＡ³，立命大⁴)

[29a-B4-4] 歪み緩和層の構造設計による量子ドット赤外線検出器の検出波長制御 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○各務惣太^1,2，五十嵐悠一^1,2，渡邉克之²，白根昌之^1,2，大河内俊介²，萬伸一^1,2，荒川泰彦^2,3 (ＮＥＣスマエネ研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

[29a-B4-5] 急速熱アニールによる量子ドット赤外線検出器の検出波長制御 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○五十嵐悠一^1,2，各務惣太^1,2，渡邉克之²，白根昌之^1,2，大河内俊介²，萬伸一^1,2，荒川泰彦^2,3 (ＮＥＣスマエネ研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

[29a-B4-5.1] 休憩(15分)

[29a-B4-6] コヒーレントレシーバの小型化に適したMIMキャパシタ集積InP系導波路型PD (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○増山竜二，八木英樹，井上尚子，大西裕，勝山智和，菊地健彦，米田昌博，小路元 (住友電工)

[29a-B4-7] 二酸化チタン保護層を導入したプラスチック基板上色素増感太陽電池の低温作製 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○安福拓真¹，江坂孝輔²，大西祐希²，山村朋之²，曽我哲夫^1,2，岸直希^1,2 (名工大電気電子工¹，名工大未来材料創成工²)

[29a-B4-8] 液体ガラスを用いた量子構造混晶化の面発光レーザへの適用性に関する研究 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○阿久津友宏，牛尾拓也，松谷晃宏，宮本智之 (東工大)

[29a-B4-9] ▲Design and Fabrication of InGaAs Quantum Well Circular-Grating-Coupled Surface Emitting Laser (12:15 PM ～ 12:30 AM)

Ashim Saha，Takashi Sumitani，^○上向井正裕，Toshiaki Suhara (Osaka Univ.)

[29a-B4-10] △選択的反導波クラッド層を設けた非対称リッジ型半導体レーザーにおけるメサ幅依存性 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○（M1）檜垣将広，沼居貴陽 (立命大院理工)

[29a-B4-11] 横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおけるメサ幅依存性 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○福屋準，沼居貴陽 (立命大院理工)