[29p-G10-1~18] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[29p-G10-2] ゲート電界による2層グラフェン/h-BNのバンドギャップ構造 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○荒井美穂¹，渡邊賢司²，谷口尚²，増渕覚^{1, 3}，町田友樹^{1, 3, 4} (東大生産研¹，物材機構²，東大ナノ量子³，JST さきがけ⁴)

キーワード：グラフェン