[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-6] IGZOの深い欠陥準位と膜質の評価 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○太田将志，渡邊了介，石原典隆，黒澤陽一，津吹将志，山﨑舜平 (半エネ研)

キーワード：IGZO