[29p-PB4-1~25] 15.6 IV族系化合物

[29p-PB4-13] 4H-SiC MOSキャパシタにおける絶縁破壊電界のLETおよび膜厚依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○出来真斗^1,2，牧野高紘¹，富田卓朗²，児島一聡³，大島武¹ (原子力機構¹，徳島大²，産総研³)

キーワード：Silicon Carbide、炭化ケイ素