2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

印刷

一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[30a-G20-1~15] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2013年3月30日(土) 09:00 〜 13:00 G20 (B5号館 4F-2404)

[30a-G20-6] Ar:Cl2 mixture ratio study on Neutral Beam etching of GaAs (10:15 AM ～ 10:30 AM)

○Cédric Thomas1,3，田村洋典1,3，五十嵐誠1,3，Mohd Erman Fauzi1,3，肥後昭男2，胡衛国1,3，久保田智広1，寒川誠二1,2,3 (東北大流体研1，東北大WPI-AIMR2，JST-CREST3)

キーワード：GaAs、量子ドット、XPS