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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[18a-A17-1~13] 15.6 IV族系化合物

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:30 A17 (E308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-A17-1] 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15分）
Improvement of Carrier Lifetimes in Highly Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation

^○奥田貴史 (京大)

09:15 〜 09:30

[18a-A17-2] SiC中の単一発光源となる欠陥の探索

^○大島武¹，小野田忍¹，牧野高紘¹，岩本直也¹，Brett Johnson²，Alex Lohrmann²，T Karle²，Jeffrey Mccallum²，Stefania Castelletto³，梅田享英⁴，佐藤嘉洋⁴，朱煜偉⁴，V Ivady⁵，Adam Gali⁵，春山盛善^1,6，加田渉⁶，花泉修⁶ (原子力機構¹，メルボルン大²，RMIT大³，筑波大数理物質系⁴，ハンガリー科学アカデミー⁵，群馬大理工⁶)

09:30 〜 09:45

▲ [18a-A17-3] Evaluation of stacking faults in 4H-SiC single crystal by using KOH etching on non-polar {1-100} face and cathodoluminescence

^○姚永昭¹，石川由加里¹，菅原義弘¹，佐藤功二¹，白井嵩幸²，旦野克典²，坂元秀光²，佐藤和明²，別所毅²，ベンジャミンディエレ³，渡辺健太郎³，関口隆史³ (ファインセラミックスセンター¹，トヨタ自動車²，物材研³)

09:45 〜 10:00

[18a-A17-4] 分子動力学法による4H-SiCのらせん転位解析

^○（M2）水谷充利¹，河村貴宏¹，鈴木泰之¹，寒川義裕²，柿本浩一² (三重大院工¹，九大応力研²)

10:00 〜 10:15

[18a-A17-5] ミラー電子顕微鏡による貫通転位-表面ナノグルーブ対構造の観察

^○一色俊之¹，長谷川正樹² (京都工芸繊維大¹，日立中研²)

10:15 〜 10:30

[18a-A17-6] 積層欠陥の拡大収縮にともなう4H-SiC中部分転位の運動

^○山下善文，下村拓也，西川亘，林靖彦 (岡山大院自然)

10:30 〜 10:45

[18a-A17-7] X線トポグラフィによる4H-SiCエピ層中の積層欠陥の評価

^○野網健悟，永井哲也，中居克彦，二木登史郎 (日鉄住金テクノロジー)

休憩10:45～11:00 (10:45 〜 11:00)

11:00 〜 11:15

[18a-A17-8] SiC 光電極の分光感度特性

^○加藤正史，三宅景子，市村正也 (名工大)

11:15 〜 11:30

[18a-A17-9] 光電極応用に向けたp型SiCエピタキシャル層の欠陥評価

^○加藤正史¹，中野由崇² (名工大¹，中部大²)

11:30 〜 11:45

[18a-A17-10] 3C-SiC表面の水分解素過程に関する第一原理解析

^○新池一央，鶴田健二，石川篤 (岡山大院自然)

11:45 〜 12:00

△ [18a-A17-11] 高安定・高効率な水の光電気分解に向けたp型3C-SiC電極の開発

^○赤羽俊之輔¹，Jun Tae Song¹，Renato Goes Amici¹，三宅景子²，加藤正史²，岩崎孝之¹，波多野睦子¹ (東工大¹，名工大²)

12:00 〜 12:15

▼ [18a-A17-12] Photoelectrochemical CO₂ reduction on 3C-SiC photo-anode

^〇Jun Tae Song，Shunnosuke Akabane，Renato Goes Amici，Takayuki Iwasaki，Mutsuko Hatano (Tokyo Inst. of Tech.)

12:15 〜 12:30

[18a-A17-13] SiCの陽極酸化プロセスにおける光照射に関する検討

^○（M1）日高公崇香¹，渡和樹¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，赤﨑記念研究センター²)