[17a-A27-1~11] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

△ [17a-A27-5] F級増幅器におけるInGaAs-HEMTゲート寄生遅延時間の影響

^○吉田智洋¹，小山雅史²，渡邊邦彦²，楳田洋太郎²，尾辻泰一¹，末光哲也¹ (東北大通研¹，東理大理工²)

キーワード：InGaAs-HEMT,遅延時間解析,F級増幅器