[17a-A27-1~11] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

△ [17a-A27-7] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける SSとON電流のボディ幅依存性

^○（M2）大橋一水，藤松基彦，宮本恭幸 (東工大)

キーワード：Tunnel FET