[17a-PA3-1~7] 13.4 デバイス／集積化技術

▲ [17a-PA3-2] Ge/Si Hetero-Junction TFETs with In-situ Boron-Doped Ge-Source

^○金ミンス^1,2，若林勇希¹，中根了昌¹，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大¹，共同研究プログラム・科学技術振興機構²)

キーワード：Tunnel FET,Ge-source,hetero-junction