[17p-A17-1~14] 15.6 IV族系化合物

[17p-A17-2] SiC MOS界面近傍の膜中欠陥モデルを用いた容量の過渡応答による遅い準位の定量的解析手法の提案

^○藤野雄貴¹，菊地リチャード平八郎¹，平井悠久¹，喜多浩之^1,2 (東大院工¹，JSTさきがけ²)

キーワード：SiC,MOS,欠陥準位