[17p-A19-1~12] 絶縁膜上におけるⅣ族系半導体結晶薄膜の低温成長－新しい結晶成長技術への期待－

[17p-A19-7] 金属誘起層交換成長による非晶質基板上Ge薄膜の結晶方位制御（30分）

^○都甲薫¹，中沢宏紀¹，大谷直生¹，宇佐美徳隆²，末益崇¹ (筑波大院¹，名大院²)

キーワード：ゲルマニウム,金属誘起成長,結晶方位制御