[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17p-A27-4] AlGaN/GaNヘテロ接合界面トラップのコンダクタンス法解析

^○馬場俊之¹，川那子高暢²，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：GaN