[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17p-A27-7] MOVPE法を用いたSi添加AlInN/GaNヘテロ接合の電気的特性

^○池山和希¹，安田俊輝¹，小塚祐吾¹，堀川航佑¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

キーワード：AlInN